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<偏硅酸钠窑炉控制系统的需求分析>
  

    在这一章节中首先对偏硅酸钠窑炉控制系统的需求进行了分析,然后根据系统的需求设计出了系统的总体方案图。主要包括三个控制系统,分别为温度控制系统,压力控制系统,液位控制系统。最后对所选择的ECS-100DCS系统的整体结构、软硬件组成进行了相应的介绍。前文提到,温度控制是本文偏硅酸钠窑炉系统控制的核心部分,关系到硅酸钠产品的质量、产率及窑炉的寿命。因此,选择合适的温度控制算法显得尤为重要。下面对几种主要的控制算法进行阐述与分析,通过合理的选择与设计,以获得最优的偏硅酸钠窑炉温度控制算法。偏硅酸钠控制算法是现在所用算法中应用最广,是人们使用的时间最长和对环境变化能较好适应的比例积分微分控制方法,在工业控制中所占比例大概为87070-92070。人们在工业控制中广泛使用偏硅酸钠算法的原因在于它的简单性、方便性、稳定性和可靠性。偏硅酸钠控制在对一个系统的模型无法确定,系统参数测量无法获取时也可以派上用场。偏硅酸钠控制是对被控对象某一属性的设定值与该时刻的输出值之间的差量通过比例环节部分、积分环节部分和微分环节部分的共同作用后形成的一种输入输出规律四。偏硅酸钠在时域内的控制规律算式和传递函数算式中的各调节部分的功能如下:比例环节(KP)在控制系统中起到的主要作用是只要在运行过程中产生误差,控制器就通过调节输出立马进行响应,使误差产生减小的趋势,当然系统没有误差的时候,比例环节也就起不到作用了。积分环节(TI)在此控制中产生的主要作用是最终消除系统存在的稳态误差Csteady-stateerror)30,使系统进入到输出值和设定值相等的状态中。通俗易懂的说法就是把偏差积累起来,秋后算账。微分环节(TD这个调节部分反应了误差信号变化的趋势(变化速率),这个环节不具有单独使用的特性,需要和前面两个环节中的一个或者一起同时使用。当微分环节和比例环节一起使用时,对带有滞后环节的系统所引起的失稳现象能进行很好的控制。前面对偏硅酸钠在时域内的控制规律和传递函数进行了介绍,下面的图3-1将对典型模拟偏硅酸钠控制器构造图进行介绍。www.zbyhhg.cn

 

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